锐科激光披露国神光电皮秒激光器实现碳化硅晶圆批量切割应用,国产超快激光装备迈入半导体前道工艺新阶段

2026年5月28日,锐科激光(300747.SZ)在投资者互动平台正式披露:其参股企业国神光电自主研发的工业级皮秒激光器,已在碳化硅(SiC)6英寸及8英寸晶圆的隐形切割、划片与微槽加工等关键制程中完成产线验证,并进入成熟批量应用阶段。该消息系国内首次公开确认超快激光装备实质性切入第三代半导体前道晶圆制造核心环节,标志着我国在高精度光机电一体化装备领域突破“卡点”取得里程碑式进展。

此前,碳化硅晶圆因硬度高、脆性大、热导率强等物理特性,传统金刚石刀轮切割良率低、崩边严重,而纳秒级激光则易引发热影响区(HAZ),导致器件漏电与可靠性下降。国神光电采用全光纤振荡器+固体放大器混合架构,实现10W平均功率、<15ps脉宽、单脉冲能量>50μJ的稳定输出,并集成自研光束整形与在线等离子体监控模块,使切割面粗糙度Ra<0.2μm,崩边<1.2μm,切割速度达30mm/s——关键指标达到国际一线厂商同等水平。

据产业链调研,该设备已获国内两家头部SiC功率器件IDM厂商订单,单台售价约1200万元,交付周期压缩至8周以内;同时正配合中芯国际绍兴基地开展车规级SiC MOSFET晶圆中测前切割工艺认证。行业专家指出,此举不仅填补了国产皮秒激光器在半导体前道细分场景的商用空白,更将加速推动“激光+AI视觉定位+实时力反馈”的智能微加工产线标准成型。

长远来看,该技术路径具备向GaN、金刚石、氧化镓等新兴宽禁带半导体拓展的普适性基础。随着《‘人工智能+’行动方案》在先进制造领域纵深落地,以激光为执行终端、AI为决策中枢的‘光智融合’范式正从概念走向产线标配。锐科激光表示,下一步将联合中科院上海光机所共建‘超快激光半导体工艺联合实验室’,重点攻关飞秒级双光子直写与三维集成封装中的光场调控难题,力争2027年底前实现200nm以下特征尺寸的激光诱导选择性刻蚀工程化验证。